মোটা, মধ্যমীয়া আৰু মিহি SiC কণিকাৰ বাবে প্ৰস্তুতি ৫:১:৪ হ’ব লাগে। সাধাৰণতে ছিলিকন কাৰ্বাইড ইটা নিৰ্মাণৰ বাবে কেঁচামাল হিচাপে ক'লা SiC নিৰ্বাচিত কৰা হয়; ইয়াৰ ৰাসায়নিক গঠন তলত দিয়া ধৰণৰ: SiC ৯৮.০%, মুক্ত C ০.৫%, Fe ০.২%, আৰু মুক্ত SiO2 ০.৬%। বণ্ডিং পদ্ধতিৰ ওপৰত নিৰ্ভৰ কৰি উৎপাদন প্ৰক্ৰিয়া ভিন্ন হয়। বিভিন্ন বণ্ডিং পদ্ধতিৰ বাবে প্ৰক্ৰিয়াসমূহৰ চমু ৰূপৰেখা তলত দিয়া ধৰণৰ:
(১) ছিলিকন নাইট্ৰাইড-বণ্ডেড চিলিকন কাৰ্বাইড ইটা: মোটা, মধ্যমীয়া আৰু মিহি SiC কণা আৰু মিহি চিলিকন পাউদাৰৰ পৰা গঠিত সেউজীয়া বস্তুবোৰক বিশুদ্ধ N2 বায়ুমণ্ডলত ১৩৭০ ডিগ্ৰীত জুই জ্বলোৱা হয়। ইয়াৰ ফলত এটা -SiC কংকাল আৰু এটা - আৰু -Si3N4 মেট্ৰিক্স থকা এটা ইটা উৎপন্ন হয়। মেট্ৰিক্সত সামান্য পৰিমাণৰ অৱশিষ্ট চিলিকন আৰু SiO2 থাকে; এই উপাদানসমূহৰ আপেক্ষিক পৰিমাণ প্ৰস্তুতকাৰক অনুসৰি ভিন্ন হয়।
(২) ছিলিকন কাৰ্বাইড ইটা: SiC, চিলিকন পাউদাৰ, আৰু কাৰ্বন গুড়ি মিহলাই নিৰ্দিষ্ট অনুপাত অনুসৰি ঢালাই কৰা হয়, তাৰ পিছত ১৪০০ ডিগ্ৰীত হ্ৰাস কৰা বায়ুমণ্ডলত জুই লগাব লাগে। বেছিভাগ ক্ষেত্ৰতে কাৰ্বনত পুতি থোৱা ইটাবোৰেৰে গুলীচালনা কৰা হয়। গুলী চলোৱাৰ সময়ত -SiC কংকাল আৰু মিহি-দানাযুক্ত -SiC মেট্ৰিক্স থকা এটা ইটা উৎপন্ন হয়। ফায়াৰিঙৰ সময়ত মিহি চিলিকন গুড়িৰ সৈতে মিহি কাৰ্বন গুড়িৰ বিক্ৰিয়াৰ দ্বাৰা -SiC গঠন হয়; এই সামগ্ৰীত কম পৰিমাণৰ অৱশিষ্ট চিলিকন আৰু কাৰ্বনও থাকে।
(৩) ছিলিকন অক্সিনাইট্ৰাইড-বণ্ডেড চিলিকন কাৰ্বাইড ইটা: এই ইটাৰ বাবে বেচ প্ৰস্তুত কৰাৰ সময়ত ব্যৱহৃত মিহি চিলিকন গুড়িৰ অনুপাত ছিলিকন কাৰ্বাইডতকৈ কম হয়।